HFGM100D12V1 HUAJING
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: PT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Application: for UPS; Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: V1
Gate-emitter voltage: ±30V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4500.45 грн |
| 3+ | 3761.34 грн |
| 12+ | 3323.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM100D12V1 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A, Collector current: 100A, Topology: IGBT half-bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: PT, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 200A, Application: for UPS; Inverter, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: V1, Gate-emitter voltage: ±30V.