Продукція > HUAJING > HFGM100D12V1
HFGM100D12V1

HFGM100D12V1 HUAJING

Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2764.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HFGM100D12V1 HUAJING

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A, Topology: IGBT half-bridge, Application: for UPS; Inverter, Pulsed collector current: 200A, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Collector current: 100A, Gate-emitter voltage: ±30V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Technology: PT, Case: V1, Type of semiconductor module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції HFGM100D12V1 за ціною від 3317.64 грн до 3317.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HFGM100D12V1 HFGM100D12V1 Виробник : HUAJING Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3317.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.