HFGM100D12V1 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3708.50 грн |
| 3+ | 3096.70 грн |
| 12+ | 2737.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM100D12V1 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A, Topology: IGBT half-bridge, Mechanical mounting: screw, Case: V1, Type of semiconductor module: IGBT, Application: for UPS; Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 100A, Pulsed collector current: 200A, Technology: PT, Max. off-state voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM100D12V1 за ціною від 3284.95 грн до 4450.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM100D12V1 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V1 Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|