HFGM150D12V3 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: PT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: V3 62MM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4486.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM150D12V3 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 350A, Application: for UPS; Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: PT, Topology: IGBT half-bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Case: V3 62MM, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM150D12V3 за ціною від 5383.81 грн до 5383.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM150D12V3 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: PT Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: V3 62MM кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|