HFGM150D12V3 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4492.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM150D12V3 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Topology: IGBT half-bridge, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 350A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Technology: PT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Application: for UPS; Inverter, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Case: V3 62MM, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM150D12V3 за ціною від 5390.52 грн до 5390.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM150D12V3 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|