Продукція > HUAJING > HFGM150D12V3
HFGM150D12V3

HFGM150D12V3 HUAJING

Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 350A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4336.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HFGM150D12V3 HUAJING

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Topology: IGBT half-bridge, Application: for UPS; Inverter, Pulsed collector current: 350A, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Collector current: 150A, Gate-emitter voltage: ±30V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Technology: PT, Case: V3 62MM, Type of semiconductor module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції HFGM150D12V3 за ціною від 5204.24 грн до 5204.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HFGM150D12V3 HFGM150D12V3 Виробник : HUAJING Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 350A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5204.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.