HFGM150D12V3 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Technology: PT
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Pulsed collector current: 350A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: V3 62MM
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5634.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM150D12V3 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Topology: IGBT half-bridge, Technology: PT, Type of semiconductor module: IGBT, Application: for UPS; Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 150A, Semiconductor structure: transistor/transistor, Pulsed collector current: 350A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: V3 62MM, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM150D12V3 за ціною від 4994.58 грн до 6760.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM150D12V3 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Topology: IGBT half-bridge Technology: PT Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 150A Semiconductor structure: transistor/transistor Pulsed collector current: 350A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: V3 62MM Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|