Продукція > HUAJING > HFGM200D12V3
HFGM200D12V3

HFGM200D12V3 HUAJING

Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: PT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: V3 62MM
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Application: for UPS; Inverter
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4755.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HFGM200D12V3 HUAJING

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: PT, Topology: IGBT half-bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Case: V3 62MM, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, Application: for UPS; Inverter, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції HFGM200D12V3 за ціною від 5706.47 грн до 5706.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HFGM200D12V3 HFGM200D12V3 Виробник : HUAJING Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: PT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: V3 62MM
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Application: for UPS; Inverter
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5706.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.