HFGM200D12V3 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6033.47 грн |
| 3+ | 5043.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM200D12V3 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Topology: IGBT half-bridge, Mechanical mounting: screw, Case: V3 62MM, Type of semiconductor module: IGBT, Application: for UPS; Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, Technology: PT, Max. off-state voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM200D12V3 за ціною від 5345.03 грн до 7240.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM200D12V3 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|