HFGM75D12V1 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2465.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM75D12V1 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1, Topology: IGBT half-bridge, Application: for UPS; Inverter, Pulsed collector current: 200A, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Collector current: 75A, Gate-emitter voltage: ±30V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Technology: PT, Case: V1, Type of semiconductor module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM75D12V1 за ціною від 2959.07 грн до 2959.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM75D12V1 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1 Topology: IGBT half-bridge Application: for UPS; Inverter Pulsed collector current: 200A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±30V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Case: V1 Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|