HFGM75D12V1 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2470.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM75D12V1 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1, Topology: IGBT half-bridge, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 75A, Pulsed collector current: 200A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Technology: PT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Application: for UPS; Inverter, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Case: V1, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM75D12V1 за ціною від 2965.15 грн до 2965.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM75D12V1 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1 Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 75A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|