HFGM75D12V1 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: V1
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mechanical mounting: screw
Technology: PT
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3303.48 грн |
| 3+ | 2763.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM75D12V1 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 75A, Case: V1, Application: for UPS; Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 200A, Mechanical mounting: screw, Technology: PT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM75D12V1 за ціною від 2927.30 грн до 3964.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM75D12V1 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 75A Case: V1 Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Mechanical mounting: screw Technology: PT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|