HFGM75D12V1 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Technology: PT
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: V1
Mechanical mounting: screw
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3160.40 грн |
| 3+ | 2642.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM75D12V1 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1, Topology: IGBT half-bridge, Technology: PT, Type of semiconductor module: IGBT, Application: for UPS; Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 75A, Semiconductor structure: transistor/transistor, Pulsed collector current: 200A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: V1, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM75D12V1 за ціною від 2799.72 грн до 3792.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM75D12V1 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1 Topology: IGBT half-bridge Technology: PT Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 75A Semiconductor structure: transistor/transistor Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: V1 Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|