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HGTG30N60B3D..

HGTG30N60B3D.. ONSEMI

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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Технічний опис HGTG30N60B3D.. ONSEMI

Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9, DC-Kollektorstrom: 60, Anzahl der Pins: 3, Bauform - Transistor: TO-247, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600, Verlustleistung Pd: 208, Betriebstemperatur, max.: 150, Produktpalette: -, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).