Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HGTP12N60C3D
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D ON Semiconductor

hgtp12n60c3dd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTP12N60C3D ON Semiconductor

Description: IGBT 600V 24A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220-3, Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off), Gate Charge: 48 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 24 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A, Power - Max: 104 W.

Інші пропозиції HGTP12N60C3D за ціною від 106.00 грн до 118.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
Код товару: 122684
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild hgtp12n60c3d-1010383.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+115.00 грн
10+106.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
Код товару: 216813
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : VBsemi hgtp12n60c3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+118.00 грн
10+111.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D Виробник : ON Semiconductor hgtp12n60c3d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D Виробник : onsemi hgtp12n60c3d-d.pdf Description: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D Виробник : onsemi HGTP12N60C3D-D.pdf IGBTs HGTP12N60C3D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.