HMT03P02S MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - HMT03P02S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro P Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 25.36 грн |
| 41+ | 20.34 грн |
| 100+ | 14.49 грн |
| 500+ | 9.40 грн |
| 1000+ | 6.21 грн |
| 5000+ | 5.43 грн |
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Технічний опис HMT03P02S MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - HMT03P02S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro P Channel MOSFETs, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).