HMV4P1P02S MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - HMV4P1P02S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro P Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 34.91 грн |
| 30+ | 27.99 грн |
| 100+ | 20.01 грн |
| 500+ | 12.92 грн |
| 1000+ | 8.54 грн |
| 5000+ | 7.48 грн |
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Технічний опис HMV4P1P02S MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - HMV4P1P02S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro P Channel MOSFETs, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).