HRF3205 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 82617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 190+ | 104.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HRF3205 Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - HRF3205 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85331000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 175W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції HRF3205 за ціною від 149.78 грн до 149.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HRF3205 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HRF3205 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85331000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 175W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| HRF3205 | Виробник : FSC |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
HRF3205 Код товару: 92873 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
||||||
 |
HRF3205 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||
 |
HRF3205 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
HRF3205 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET TO-220AB N-Ch Power |
товар відсутній |
|||||
|
|
HRF3205 Код товару: 92872 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|