Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUF76013D3S
HUF76013D3S

HUF76013D3S Fairchild Semiconductor

FAIRS32492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1212+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 1212
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF76013D3S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V.

Інші пропозиції HUF76013D3S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF76013D3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS32492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.