Інші пропозиції HUF76633P3 F085 за ціною від 81.88 грн до 81.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HUF76633P3-F085 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 145W (Tc) |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
HUF76633P3-F085 | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HUF76633P3-F085 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 245+ | 81.88 грн |
| HUF76633P3-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET
MOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




