Інші пропозиції HUF76633P3 F085 за ціною від 83.07 грн до 127.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF76633P3-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V Power Dissipation (Max): 145W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
HUF76633P3-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
HUF76633P3-F085 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
 |
HUF76633P3-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF76633P3-F085 - HUF76633P3-F085, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
HUF76633P3-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
HUF76633P3-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V Power Dissipation (Max): 145W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |