Продукція > HUAYI > HYG028N10NS1P
HYG028N10NS1P

HYG028N10NS1P HUAYI


THYG028n10ns1p_HUAYI_0001.pdf
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C; HYG028N10NS1P HUAYI THYG028n10ns1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HYG028N10NS1P HUAYI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C; HYG028N10NS1P HUAYI THYG028n10ns1p, кількість в упаковці: 10 шт.