Продукція > HUAYI > HYG028N10NS1P

HYG028N10NS1P HUAYI

Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C; HYG028N10NS1P HUAYI THYG028n10ns1p
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HYG028N10NS1P HUAYI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C; HYG028N10NS1P HUAYI THYG028n10ns1p.