Продукція > HUAYI > HYG042N10NS1B

HYG042N10NS1B HUAYI

Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C; HYG042N10NS1B HUAYI THYG042n10ns1b
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HYG042N10NS1B HUAYI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C; HYG042N10NS1B HUAYI THYG042n10ns1b.