Продукція > HUAYI > HYG043N10NS2B

HYG043N10NS2B HUAYI

Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C; HYG043N10NS2B HUAYI THYG043n10ns2b
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HYG043N10NS2B HUAYI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C; HYG043N10NS2B HUAYI THYG043n10ns2b.