Продукція > INFINEON > IAUT260N10S5N019

IAUT260N10S5N019 Infineon


Виробник: Infineon

на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUT260N10S5N019 Infineon

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8, Power dissipation: 300W, Gate charge: 54nC, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 5, Drain current: 260A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PG-HSOF-8, On-state resistance: 1.9mΩ, Mounting: SMD.

Інші пропозиції IAUT260N10S5N019

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT260N10S5N019.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 300W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019.pdf
IAUT260N10S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 300W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.