IAUT300N08S5N011ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 216.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUT300N08S5N011ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUT300N08S5N011ATMA1 за ціною від 179.03 грн до 442.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 11115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 41434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005427386 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IAUT300N08S5N011ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
товару немає в наявності |