Технічний опис ICPB2002-1-110I Microchip Technology
Description: DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Current Rating (Amps): 1A, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 12GHz, Power - Output: 12W, Gain: 10dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: Die, Voltage - Rated: 28 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 125 mA.
Інші пропозиції ICPB2002-1-110I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ICPB2002-1-110I | Виробник : Microchip Technology |
 Description: DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMTPackaging: Bulk Package / Case: Die Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 12GHz Power - Output: 12W Gain: 10dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: Die Voltage - Rated: 28 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA |
товару немає в наявності |