
IDD04SG60C Infineon Technologies
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDD04SG60C Infineon Technologies
Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 4A; 43W, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 13.5A, Leakage current: 0.3µA, Power dissipation: 43W, Kind of package: reel; tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 3G; SiC, Mounting: SMD, Case: PG-TO252-3, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. forward voltage: 2.1V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IDD04SG60C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDD04SG60C | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 4A; 43W Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 13.5A Leakage current: 0.3µA Power dissipation: 43W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IDD04SG60C | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 4A; 43W Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 13.5A Leakage current: 0.3µA Power dissipation: 43W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2.1V |
товару немає в наявності |