IDD12SG60C Infineon Technologies
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDD12SG60C Infineon Technologies
Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 12A; 125W, Load current: 12A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 51A, Leakage current: 1µA, Power dissipation: 125W, Kind of package: reel; tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 3G; SiC, Mounting: SMD, Case: PG-TO252-3, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. forward voltage: 1.8V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IDD12SG60C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDD12SG60C | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 12A; 125W Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 51A Leakage current: 1µA Power dissipation: 125W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
IDD12SG60C | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 12A; 125W Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 51A Leakage current: 1µA Power dissipation: 125W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.8V |
товару немає в наявності |