IDH02G65C5 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH02G65C5 Infineon Technologies
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 2A; 36W; PG-TO220-2, Type of diode: Schottky rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Max. forward voltage: 1.8V, Max. forward impulse current: 22A, Leakage current: 0.4µA, Power dissipation: 36W, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...137mm, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IDH02G65C5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH02G65C5 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 2A; 36W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 0.4µA Power dissipation: 36W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IDH02G65C5 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 2A; 36W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 0.4µA Power dissipation: 36W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm |
товар відсутній |