IDH04G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; 48W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 35A
Leakage current: 0.8µA
Power dissipation: 48W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; 48W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 35A
Leakage current: 0.8µA
Power dissipation: 48W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.69 грн |
| 4+ | 127.82 грн |
| 8+ | 123.11 грн |
| 10+ | 119.19 грн |
| 21+ | 116.06 грн |
| 50+ | 112.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH04G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; 48W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Max. forward voltage: 1.8V, Max. forward impulse current: 35A, Leakage current: 0.8µA, Power dissipation: 48W, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...137mm, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IDH04G65C5 за ціною від 134.56 грн до 184.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDH04G65C5 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; 48W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 35A Leakage current: 0.8µA Power dissipation: 48W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH04G65C5 | Виробник : Infineon Technologies |
 SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
товару немає в наявності |