IDH09G65C5 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH09G65C5 Infineon Technologies
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 9A; 82W; PG-TO220-2, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 9A, Power dissipation: 82W, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...137mm, Max. forward impulse current: 65A, Max. forward voltage: 1.8V, Leakage current: 1.8µA.
Інші пропозиції IDH09G65C5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH09G65C5 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 9A; 82W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 9A Power dissipation: 82W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 65A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 1.8µA |
товар відсутній |