
IDP06E60XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GP 600V 14.7A TO220-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 14.7A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
306+ | 71.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDP06E60XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 14.7A TO220-2-1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 14.7A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IDP06E60XKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDP06E60XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |