IGB01N120H2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 1.3A
Power dissipation: 28W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20.9ns
Turn-off time: 493ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB01N120H2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 1.3A, Power dissipation: 28W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 3.5A, Mounting: SMD, Gate charge: 8.6nC, Kind of package: reel; tape, Turn-on time: 20.9ns, Turn-off time: 493ns, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IGB01N120H2ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB01N120H2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2 |
товару немає в наявності |
|
|
|
IGB01N120H2ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 1.3A Power dissipation: 28W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 3.5A Mounting: SMD Gate charge: 8.6nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20.9ns Turn-off time: 493ns |
товару немає в наявності |