Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGI65D1414A3MSXUMA1
IGI65D1414A3MSXUMA1

IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies

infineon_igi65d1414a3ms_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+491.29 грн
10+327.08 грн
100+211.93 грн
1000+201.58 грн
3000+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration.