Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGI65D1414A3MSXUMA1
IGI65D1414A3MSXUMA1

IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+560.55 грн
10+373.83 грн
100+237.23 грн
500+231.23 грн
1000+211.71 грн
3000+195.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration.