IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration.