Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGI65D1414A3MSXUMA1
IGI65D1414A3MSXUMA1

IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies

infineon-igi65d1414a3ms-datasheet-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.06 грн
10+363.55 грн
100+235.56 грн
1000+213.31 грн
3000+200.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration.