Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGI65D1414A3MSXUMA1
IGI65D1414A3MSXUMA1

IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies

infineon_igi65d1414a3ms_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.78 грн
10+328.74 грн
100+213.01 грн
1000+202.60 грн
3000+181.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration.