Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW30N100TFKSA1

IHW30N100TFKSA1 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IHW30N100TFKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/546ns, Switching Energy: 1.6mJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 217 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 412 W.

Інші пропозиції IHW30N100TFKSA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IHW30N100TFKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/546ns Switching Energy: 1.6mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 217 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.