IKD15N60RBTMA1

IKD15N60RBTMA1 Infineon Technologies


INFNS30301-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
306+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 306
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD15N60RBTMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns, Switching Energy: 900µJ, Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IKD15N60RBTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKD15N60RBTMA1 IKD15N60RBTMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ik15n60r_eng_0_1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній