IKZ50N65NH5 Infineon technologies



Виробник: Infineon technologies

на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKZ50N65NH5 Infineon technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 54A, Power dissipation: 136W, Case: TO247-4, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 30ns, Turn-off time: 275ns, Manufacturer series: H5, Technology: TRENCHSTOP™ 5.

Інші пропозиції IKZ50N65NH5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65NH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.