IPA60R120P7 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R120P7 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 16A, Power dissipation: 28W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPA60R120P7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R120P7 | Виробник : Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPA60R120P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |