IPB070N06LG infineon


Виробник: infineon
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB070N06LG infineon

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB070N06LG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB070N06LG Виробник : infineon to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB070N06L G IPB070N06L G Виробник : Infineon Technologies IPB,IPP070N06L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
товар відсутній
IPB070N06L G IPB070N06L G Виробник : Infineon Technologies IPB_P070N06L G Rev1.27-338424.pdf MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
товар відсутній