IPB081N06L3 G Infineon Technologies
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.39 грн |
| 10+ | 95.97 грн |
| 100+ | 64.56 грн |
| 500+ | 54.94 грн |
| 1000+ | 44.8 грн |
| 2000+ | 42.13 грн |
| 5000+ | 40.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB081N06L3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3, Mounting: SMD, Case: PG-TO263-3, On-state resistance: 8.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 79W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB081N06L3 G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB081N06L3G | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 8.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPB081N06L3G | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 8.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A |
товар відсутній |