Технічний опис IPB091N06NG infineon
Description: MOSFET N-CHAN D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 80A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPB091N06NG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB091N06NG | Виробник : infineon | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPB091N06N G | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CHAN D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 80A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |