IPB110N20N3LF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB110N20N3LF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 61A, Power dissipation: 250W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB110N20N3LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB110N20N3LF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 61A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |