Продукція > INF > IPB120N06N G

IPB120N06N G INF


IPB%2CIPP120N06N_G.pdf
Виробник: INF
TO-263
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N06N G INF

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 94µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB120N06N G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB120N06NG infineon 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06NG
Виробник: infineon
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.