Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R099C6
IPB60R099C6

IPB60R099C6 Infineon Technologies

Infineon_IPB60R099C6_DS_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.38 грн
10+300.09 грн
100+197.44 грн
500+185.01 грн
1000+172.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R099C6 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ C6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 37.9A, Power dissipation: 278W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 99mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції IPB60R099C6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R099C6 IPB60R099C6 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6 IPB60R099C6.pdf
IPB60R099C6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.