IPB60R099C6 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 446.63 грн |
| 10+ | 300.93 грн |
| 100+ | 197.99 грн |
| 500+ | 185.53 грн |
| 1000+ | 173.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R099C6 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ C6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 37.9A, Power dissipation: 278W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 99mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPB60R099C6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R099C6 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |