IPC100N04S5-1R7 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC100N04S5-1R7 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, Power dissipation: 115W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 83nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 5, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції IPC100N04S5-1R7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPC100N04S5-1R7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 115W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 |
товару немає в наявності |