IPC100N04S5L-2R6 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC100N04S5L-2R6 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, Power dissipation: 75W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 2.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 55nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 5, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPC100N04S5L-2R6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPC100N04S5L-2R6 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 |
товару немає в наявності |