Технічний опис IPD05N03LAG infineon
Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IPD05N03LAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD05N03LA G | Виробник : INFINEON |
 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IPD05N03LAG | Виробник : infineon | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPD05N03LA G | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |