IPD30N06S2L23 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 142.16 грн |
| 105+ | 135.80 грн |
| 250+ | 130.35 грн |
| 500+ | 121.16 грн |
| 1000+ | 108.52 грн |
| 2500+ | 101.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
100 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N06S2L23 Infineon Technologies
Description: IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPD30N06S2L23 за ціною від 58.17 грн до 112.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD30N06S2L-23 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Power dissipation: 100W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC Application: automotive industry |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPD30N06S2L-23 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 112.76 грн |
| 50+ | 73.96 грн |
| 100+ | 68.97 грн |
| 300+ | 65.65 грн |
| 500+ | 58.17 грн |