Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S2L23
IPD30N06S2L23

IPD30N06S2L23 Infineon Technologies

ipd30n06s2l-23_green.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.36 грн
105+116.89 грн
250+112.20 грн
500+104.29 грн
1000+93.41 грн
2500+87.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S2L23 Infineon Technologies

Description: IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPD30N06S2L23

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N06S2L-23 Виробник : Infineon technologies INFNS09593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23 IPD30N06S2L-23 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-23_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23 Виробник : Infineon Technologies INFNS09593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23 IPD30N06S2L-23 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N06S2L_23_DS_v01_00_en-1226928.pdf MOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.