Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S404ATMA1
IPD90N04S404ATMA1

IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 71W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

Інші пропозиції IPD90N04S404ATMA1 за ціною від 23.40 грн до 142.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.36 грн
500+31.78 грн
1000+26.79 грн
5000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.06 грн
5000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.06 грн
5000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
6+71.46 грн
10+62.32 грн
25+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.41 грн
100+44.27 грн
500+32.62 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.76 грн
12+71.68 грн
100+47.36 грн
500+31.78 грн
1000+26.79 грн
5000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.45 грн
10+97.23 грн
100+65.09 грн
500+54.80 грн
1000+45.02 грн
2500+42.57 грн
5000+39.75 грн
7500+38.29 грн
12500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.42 грн
145+97.90 грн
217+65.55 грн
500+55.19 грн
1000+45.33 грн
2500+42.87 грн
5000+40.02 грн
7500+38.56 грн
12500+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+47.36 грн
500+31.78 грн
1000+26.79 грн
5000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.06 грн
5000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.06 грн
5000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
668+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.44 грн
6+71.46 грн
10+62.32 грн
25+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.73 грн
10+66.41 грн
100+44.27 грн
500+32.62 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+112.76 грн
12+71.68 грн
100+47.36 грн
500+31.78 грн
1000+26.79 грн
5000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.45 грн
10+97.23 грн
100+65.09 грн
500+54.80 грн
1000+45.02 грн
2500+42.57 грн
5000+39.75 грн
7500+38.29 грн
12500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+142.42 грн
145+97.90 грн
217+65.55 грн
500+55.19 грн
1000+45.33 грн
2500+42.87 грн
5000+40.02 грн
7500+38.56 грн
12500+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.