IPI120N04S402AKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.72 грн |
| 10+ | 110.37 грн |
| 100+ | 79.70 грн |
| 500+ | 72.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI120N04S402AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPI120N04S402AKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI120N04S402AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |