IPI45N06S4-09AKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 359+ | 57.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI45N06S4-09AKSA2 Infineon Technologies
Description: IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPI45N06S4-09AKSA2 за ціною від 52.41 грн до 134.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI45N06S409AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPI45N06S409AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPI45N06S409AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |