IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 10A, Power dissipation: 89W, Case: PG-TO262-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.35Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI50R350CPXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI50R350CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 89W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPI50R350CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 89W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |