IPI90N04S402AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI90N04S402AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPI90N04S402AKSA1 за ціною від 100.42 грн до 231.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI90N04S402AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|