Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN70R900P7S
IPN70R900P7S

IPN70R900P7S Infineon Technologies

Infineon_IPN70R900P7S_DS_v02_02_EN-3362470.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R900P7S Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 3.5A, Power dissipation: 6.5W, Case: PG-SOT223, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 6.8nC, Kind of channel: enhancement, Technology: CoolMOS™ P7, Gate-source voltage: ±16V, Version: ESD.

Інші пропозиції IPN70R900P7S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7S.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.