Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN95R1K2P7
IPN95R1K2P7

IPN95R1K2P7 Infineon Technologies

Infineon_IPN95R1K2P7_DS_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN95R1K2P7 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 7W; PG-SOT223; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 950V, Drain current: 3.7A, Power dissipation: 7W, Case: PG-SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.2Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

Інші пропозиції IPN95R1K2P7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN95R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7.pdf
IPN95R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.