IPP040N06N3 G Infineon Technologies
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.89 грн |
| 10+ | 134.71 грн |
| 100+ | 88.59 грн |
| 250+ | 76.87 грн |
| 500+ | 73.95 грн |
| 1000+ | 65.82 грн |
| 2500+ | 64.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP040N06N3 G Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPP040N06N3 G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP040N06N3 G | Виробник : Infineon |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| IPP040N06N3G | Виробник : Infineon technologies |
 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPP040N06N3G | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |