IPP062NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP062NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V.
Інші пропозиції IPP062NE7N3GXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP062NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 IPP062NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IPP062NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V |
товару немає в наявності |