
IPW60R045CPFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 711.20 грн |
30+ | 682.03 грн |
120+ | 662.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R045CPFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 431W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPW60R045CPFKSA1 за ціною від 591.18 грн до 1200.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V |
на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 431W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 431W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPW60R045CPFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 431W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |