Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R330P6FKSA1
IPW60R330P6FKSA1

IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies

IPx60R330P6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3
на замовлення 36480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.6A, Power dissipation: 93W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.33Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 22nC.

Інші пропозиції IPW60R330P6FKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R330P6FKSA1 IPW60R330P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R330P6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R330P6FKSA1 IPW60R330P6.pdf
IPW60R330P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.