IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 36480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3, Mounting: THT, Case: PG-TO247-3, Kind of package: tube, Power dissipation: 93W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 22nC, Technology: CoolMOS™ P6, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.6A, On-state resistance: 0.33Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPW60R330P6FKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R330P6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3 Mounting: THT Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 93W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Technology: CoolMOS™ P6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A On-state resistance: 0.33Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPW60R330P6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3 Mounting: THT Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 93W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Technology: CoolMOS™ P6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A On-state resistance: 0.33Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |